RCX100N25 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RCX100N25
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.32 Ohm
Encapsulados: TO-220FM
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RCX100N25 datasheet
rcx100n25.pdf
PRODUCTS TYPE PAGE TO-220FM RCX100N25 1/4 1.TYPE RCX100N25 2.STRUCTURE SILICON N-CHANNEL MOS FET 3.APPLICATIONS SWITCHING 4.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS [Ta=25 ] DRAIN-SOURCE VOLTAGE VDSS 250V GATE-SOURCE VOLTAGE VGSS 30V DRAIN CURRENT CONTINUOUS 10A* ID PULSED 40A* IDP PW 10 s DUTY CYCLE 1% SOURCE CURRENT CONTI
rcx100n25.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor RCX100N25 FEATURES Drain Current I = 10A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =250V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 320m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purp
Otros transistores... RCJ160N20 , RCJ200N20 , RCJ220N25 , RCJ300N20 , RCJ510N25 , RCJ700N20 , RCX051N25 , RCX081N20 , K3569 , RCX200N20 , RCX220N25 , RCX300N20 , RCX510N25 , RCX511N25 , RCX700N20 , RDD020N60 , RDD022N50 .
History: SE2305A | FDS4501H | KHB4D5N60P | STB440S
History: SE2305A | FDS4501H | KHB4D5N60P | STB440S
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