RCX100N25 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RCX100N25
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.32 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220FM
Búsqueda de reemplazo de RCX100N25 MOSFET
RCX100N25 Datasheet (PDF)
rcx100n25.pdf
PRODUCTS TYPE PAGE TO-220FM RCX100N25 1/4 1.TYPE RCX100N25 2.STRUCTURE SILICON N-CHANNEL MOS FET 3.APPLICATIONS SWITCHING 4.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS [Ta=25] DRAIN-SOURCE VOLTAGEVDSS 250V GATE-SOURCE VOLTAGEVGSS 30V DRAIN CURRENT CONTINUOUS 10A* ID PULSED 40A* IDP PW10s DUTY CYCLE1% SOURCE CURRENT CONTI
rcx100n25.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor RCX100N25FEATURESDrain Current I = 10A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =250V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 320m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp
Otros transistores... RCJ160N20 , RCJ200N20 , RCJ220N25 , RCJ300N20 , RCJ510N25 , RCJ700N20 , RCX051N25 , RCX081N20 , SPP20N60C3 , RCX200N20 , RCX220N25 , RCX300N20 , RCX510N25 , RCX511N25 , RCX700N20 , RDD020N60 , RDD022N50 .
History: MS23P21
History: MS23P21
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Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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