RCX100N25 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: RCX100N25
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.32 Ohm
Тип корпуса: TO-220FM
Аналог (замена) для RCX100N25
RCX100N25 Datasheet (PDF)
rcx100n25.pdf
PRODUCTS TYPE PAGE TO-220FM RCX100N25 1/4 1.TYPE RCX100N25 2.STRUCTURE SILICON N-CHANNEL MOS FET 3.APPLICATIONS SWITCHING 4.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS [Ta=25] DRAIN-SOURCE VOLTAGEVDSS 250V GATE-SOURCE VOLTAGEVGSS 30V DRAIN CURRENT CONTINUOUS 10A* ID PULSED 40A* IDP PW10s DUTY CYCLE1% SOURCE CURRENT CONTI
rcx100n25.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor RCX100N25FEATURESDrain Current I = 10A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =250V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 320m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp
Другие MOSFET... RCJ160N20 , RCJ200N20 , RCJ220N25 , RCJ300N20 , RCJ510N25 , RCJ700N20 , RCX051N25 , RCX081N20 , K3569 , RCX200N20 , RCX220N25 , RCX300N20 , RCX510N25 , RCX511N25 , RCX700N20 , RDD020N60 , RDD022N50 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G | AGM612S | AGM612MNA | AGM612MN | AGM612MBQ | AGM612MBP | AGM612D | AGM612AP
Popular searches
se9302 transistor | fr5305 datasheet | y2 transistor | 40n06 | bc108b | oc84 | c6090 | ksa1015yta


