Справочник MOSFET. RCX100N25

 

RCX100N25 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RCX100N25
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.32 Ohm
   Тип корпуса: TO-220FM
 

 Аналог (замена) для RCX100N25

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RCX100N25 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:166K  rohm
 rcx100n25.pdf pdf_icon

RCX100N25

PRODUCTS TYPE PAGE TO-220FM RCX100N25 1/4 1.TYPE RCX100N25 2.STRUCTURE SILICON N-CHANNEL MOS FET 3.APPLICATIONS SWITCHING 4.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS [Ta=25] DRAIN-SOURCE VOLTAGEVDSS 250V GATE-SOURCE VOLTAGEVGSS 30V DRAIN CURRENT CONTINUOUS 10A* ID PULSED 40A* IDP PW10s DUTY CYCLE1% SOURCE CURRENT CONTI

 ..2. Size:251K  inchange semiconductor
 rcx100n25.pdf pdf_icon

RCX100N25

isc N-Channel MOSFET Transistor RCX100N25FEATURESDrain Current I = 10A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =250V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 320m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp

Другие MOSFET... RCJ160N20 , RCJ200N20 , RCJ220N25 , RCJ300N20 , RCJ510N25 , RCJ700N20 , RCX051N25 , RCX081N20 , SPP20N60C3 , RCX200N20 , RCX220N25 , RCX300N20 , RCX510N25 , RCX511N25 , RCX700N20 , RDD020N60 , RDD022N50 .

History: KIA3510A-263

 

 
Back to Top

 


 
.