RCX100N25 - описание и поиск аналогов

 

RCX100N25. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RCX100N25

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.32 Ohm

Тип корпуса: TO-220FM

Аналог (замена) для RCX100N25

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RCX100N25 даташит

 ..1. Size:166K  rohm
 rcx100n25.pdf pdf_icon

RCX100N25

PRODUCTS TYPE PAGE TO-220FM RCX100N25 1/4 1.TYPE RCX100N25 2.STRUCTURE SILICON N-CHANNEL MOS FET 3.APPLICATIONS SWITCHING 4.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS [Ta=25 ] DRAIN-SOURCE VOLTAGE VDSS 250V GATE-SOURCE VOLTAGE VGSS 30V DRAIN CURRENT CONTINUOUS 10A* ID PULSED 40A* IDP PW 10 s DUTY CYCLE 1% SOURCE CURRENT CONTI

 ..2. Size:251K  inchange semiconductor
 rcx100n25.pdf pdf_icon

RCX100N25

isc N-Channel MOSFET Transistor RCX100N25 FEATURES Drain Current I = 10A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =250V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 320m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purp

Другие MOSFET... RCJ160N20 , RCJ200N20 , RCJ220N25 , RCJ300N20 , RCJ510N25 , RCJ700N20 , RCX051N25 , RCX081N20 , K3569 , RCX200N20 , RCX220N25 , RCX300N20 , RCX510N25 , RCX511N25 , RCX700N20 , RDD020N60 , RDD022N50 .

History: SE138U | TPCS8102 | FDS8638 | R6007MNJ | TPCS8204 | TPCS8105 | TPCS8101

 

 

 

 

↑ Back to Top
.