RCX200N20 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RCX200N20
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm
Encapsulados: TO-220FM
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RCX200N20 datasheet
rcx200n20.pdf
RCX200N20 Nch 200V 20A Power MOSFET Datasheet lOutline VDSS 200V TO-220FM RDS(on) (Max.) 130mW ID 20A (3) PD 40W (1) (2) lFeatures lInner circuit 1) Low on-resistance. (1) Gate 2) Fast switching speed. (2) Drain (3) Source 3) Drive circuits can be simple. 4) Parallel use is easy. *1 BODY DIODE 5) Pb-free lead plating ; RoHS compliant 6) 100% Avalanche tested lPa
rcx200n20.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor RCX200N20 FEATURES Drain Current I = 20A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =200V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 130m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purp
Otros transistores... RCJ200N20 , RCJ220N25 , RCJ300N20 , RCJ510N25 , RCJ700N20 , RCX051N25 , RCX081N20 , RCX100N25 , IRFP260 , RCX220N25 , RCX300N20 , RCX510N25 , RCX511N25 , RCX700N20 , RDD020N60 , RDD022N50 , RDD022N60 .
History: TMP4N60 | IXFC16N80P | WTK9410
History: TMP4N60 | IXFC16N80P | WTK9410
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