Справочник MOSFET. RCX200N20

 

RCX200N20 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RCX200N20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm
   Тип корпуса: TO-220FM
 

 Аналог (замена) для RCX200N20

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RCX200N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:411K  rohm
 rcx200n20.pdf pdf_icon

RCX200N20

RCX200N20 Nch 200V 20A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS200V TO-220FMRDS(on) (Max.)130mWID20A(3) PD40W(1) (2) lFeatures lInner circuit1) Low on-resistance.(1) Gate 2) Fast switching speed.(2) Drain (3) Source 3) Drive circuits can be simple.4) Parallel use is easy.*1 BODY DIODE 5) Pb-free lead plating ; RoHS compliant6) 100% Avalanche testedlPa

 ..2. Size:251K  inchange semiconductor
 rcx200n20.pdf pdf_icon

RCX200N20

isc N-Channel MOSFET Transistor RCX200N20FEATURESDrain Current I = 20A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =200V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 130m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp

Другие MOSFET... RCJ200N20 , RCJ220N25 , RCJ300N20 , RCJ510N25 , RCJ700N20 , RCX051N25 , RCX081N20 , RCX100N25 , 8205A , RCX220N25 , RCX300N20 , RCX510N25 , RCX511N25 , RCX700N20 , RDD020N60 , RDD022N50 , RDD022N60 .

History: SFP070N90C3

 

 
Back to Top

 


 
.