RCX510N25 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RCX510N25
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 51 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 300 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm
Encapsulados: TO-220FM
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RCX510N25 datasheet
rcx510n25.pdf
PRODUCTS TYPE PAGE TO-220FM RCX510N25 1/4 1.TYPE RCX510N25 2.STRUCTURE SILICON N-CHANNEL MOS FET 3.APPLICATIONS SWITCHING 4.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS [Ta=25 ] DRAIN-SOURCE VOLTAGE VDSS 250V GATE-SOURCE VOLTAGE VGSS 30V DRAIN CURRENT CONTINUOUS 51A* ID PULSED 204A* IDP PW 10 s DUTY CYCLE 1% SOURCE CURRENT CONT
rcx511n25.pdf
RCX511N25 Nch 250V 51A Power MOSFET Datasheet lOutline VDSS 250V TO-220FM RDS(on) (Max.) 65mW ID 51A (3) PD 40W (1) (2) lFeatures lInner circuit 1) Low on-resistance. (1) Gate 2) Fast switching speed. (2) Drain (3) Source 3) Drive circuits can be simple. 4) Parallel use is easy. *1 BODY DIODE 5) Pb-free lead plating ; RoHS compliant 6) 100% Avalanche tested lPac
rcx511n25.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor RCX511N25 FEATURES Drain Current I = 51A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =250V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 65m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpo
Otros transistores... RCJ510N25 , RCJ700N20 , RCX051N25 , RCX081N20 , RCX100N25 , RCX200N20 , RCX220N25 , RCX300N20 , SKD502T , RCX511N25 , RCX700N20 , RDD020N60 , RDD022N50 , RDD022N60 , RDD023N50 , RDD050N20 , RDN050N20 .
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