RCX510N25 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: RCX510N25
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 250 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 51 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 120 nC
Время нарастания (tr): 300 ns
Выходная емкость (Cd): 350 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.065 Ohm
Тип корпуса: TO-220FM
RCX510N25 Datasheet (PDF)
rcx510n25.pdf
PRODUCTS TYPE PAGE TO-220FM RCX510N25 1/4 1.TYPE RCX510N25 2.STRUCTURE SILICON N-CHANNEL MOS FET 3.APPLICATIONS SWITCHING 4.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS [Ta=25] DRAIN-SOURCE VOLTAGEVDSS 250V GATE-SOURCE VOLTAGEVGSS 30V DRAIN CURRENT CONTINUOUS 51A* ID PULSED 204A* IDP PW10s DUTY CYCLE1% SOURCE CURRENT CONT
rcx511n25.pdf
RCX511N25 Nch 250V 51A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS250V TO-220FMRDS(on) (Max.)65mWID51A(3) PD40W(1) (2) lFeatures lInner circuit1) Low on-resistance.(1) Gate 2) Fast switching speed.(2) Drain (3) Source 3) Drive circuits can be simple.4) Parallel use is easy.*1 BODY DIODE 5) Pb-free lead plating ; RoHS compliant6) 100% Avalanche testedlPac
rcx511n25.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor RCX511N25FEATURESDrain Current I = 51A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =250V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 65m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpo
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
