RDD050N20 Todos los transistores

 

RDD050N20 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RDD050N20

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 92 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.72 Ohm

Encapsulados: CPT3

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RDD050N20 datasheet

 ..1. Size:157K  rohm
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RDD050N20

RDD050N20 Transistors 10V Drive Nch MOSFET RDD050N20 Dimensions (Unit mm) Structure Silicon N-channel CPT3 MOSFET Features 1) Low on-resistance. 2) Low input capacitance. 3) Exellent resistance to damage from static electricity. (1)Base(Gate) (2)Collector(Drain) (3)Emitter(Source) Application Switching Packaging specifications Equivalent Circuit Package

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History: KMD6D0DN30QA

 

 

 

 

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