Справочник MOSFET. RDD050N20

 

RDD050N20 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RDD050N20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 92 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.72 Ohm
   Тип корпуса: CPT3
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RDD050N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:157K  rohm
 rdd050n20.pdf pdf_icon

RDD050N20

RDD050N20 Transistors 10V Drive Nch MOSFET RDD050N20 Dimensions (Unit : mm) Structure Silicon N-channel CPT3MOSFET Features 1) Low on-resistance. 2) Low input capacitance. 3) Exellent resistance to damage from static electricity. (1)Base(Gate)(2)Collector(Drain)(3)Emitter(Source) Application Switching Packaging specifications Equivalent Circuit Package

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , IRFZ48N , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

History: SI9945BDY | NVTFS002N04C

 

 
Back to Top

 


 
.