RDD050N20 - описание и поиск аналогов

 

RDD050N20. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RDD050N20

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 92 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.72 Ohm

Тип корпуса: CPT3

Аналог (замена) для RDD050N20

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RDD050N20 даташит

 ..1. Size:157K  rohm
 rdd050n20.pdf pdf_icon

RDD050N20

RDD050N20 Transistors 10V Drive Nch MOSFET RDD050N20 Dimensions (Unit mm) Structure Silicon N-channel CPT3 MOSFET Features 1) Low on-resistance. 2) Low input capacitance. 3) Exellent resistance to damage from static electricity. (1)Base(Gate) (2)Collector(Drain) (3)Emitter(Source) Application Switching Packaging specifications Equivalent Circuit Package

Другие MOSFET... RCX300N20 , RCX510N25 , RCX511N25 , RCX700N20 , RDD020N60 , RDD022N50 , RDD022N60 , RDD023N50 , IRFB3607 , RDN050N20 , RDN100N20 , RDN120N25 , RDN150N20 , RDR005N25 , R5005CNX , R5007FNX , R5009FNJ .

History: GMP3205 | AGM665E | S60N06M | 2SK1470 | MTP12N10L | SI2319CDS-T1-GE3 | GM8205

 

 

 

 

↑ Back to Top
.