Справочник MOSFET. RDD050N20

 

RDD050N20 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RDD050N20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 92 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.72 Ohm
   Тип корпуса: CPT3
 

 Аналог (замена) для RDD050N20

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RDD050N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:157K  rohm
 rdd050n20.pdf pdf_icon

RDD050N20

RDD050N20 Transistors 10V Drive Nch MOSFET RDD050N20 Dimensions (Unit : mm) Structure Silicon N-channel CPT3MOSFET Features 1) Low on-resistance. 2) Low input capacitance. 3) Exellent resistance to damage from static electricity. (1)Base(Gate)(2)Collector(Drain)(3)Emitter(Source) Application Switching Packaging specifications Equivalent Circuit Package

Другие MOSFET... RCX300N20 , RCX510N25 , RCX511N25 , RCX700N20 , RDD020N60 , RDD022N50 , RDD022N60 , RDD023N50 , AON7506 , RDN050N20 , RDN100N20 , RDN120N25 , RDN150N20 , RDR005N25 , R5005CNX , R5007FNX , R5009FNJ .

History: CS3410BR | AMA420N | HY1808AP | BLV108 | FDBL86363-F085 | RF1S70N06 | STI10N62K3

 

 
Back to Top

 


 
.