Справочник MOSFET. RDD050N20

 

RDD050N20 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: RDD050N20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 92 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.72 Ohm
   Тип корпуса: CPT3

 Аналог (замена) для RDD050N20

 

 

RDD050N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:157K  rohm
 rdd050n20.pdf

RDD050N20 RDD050N20

RDD050N20 Transistors 10V Drive Nch MOSFET RDD050N20 Dimensions (Unit : mm) Structure Silicon N-channel CPT3MOSFET Features 1) Low on-resistance. 2) Low input capacitance. 3) Exellent resistance to damage from static electricity. (1)Base(Gate)(2)Collector(Drain)(3)Emitter(Source) Application Switching Packaging specifications Equivalent Circuit Package

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top