RDN050N20 Todos los transistores

 

RDN050N20 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RDN050N20

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 92 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.72 Ohm

Encapsulados: TO-220FN

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RDN050N20 datasheet

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RDN050N20

RDN050N20 Transistors 10V Drive Nch MOS FET RDN050N20 External dimensions (Unit mm) Structure Silicon N-channel TO-220FN 10.0 4.5 3.2 2.8 MOS FET Features 1) Low on-resistance. 1.2 1.3 2) Low input capacitance. 3) Exellent resistance to damage from static electricity. 0.8 (1)Gate 2.54 2.54 0.75 2.6 (2)Drain (1) (2) (3) (3)Source Application Switching

Otros transistores... RCX510N25 , RCX511N25 , RCX700N20 , RDD020N60 , RDD022N50 , RDD022N60 , RDD023N50 , RDD050N20 , AON6380 , RDN100N20 , RDN120N25 , RDN150N20 , RDR005N25 , R5005CNX , R5007FNX , R5009FNJ , R5011FNJ .

 

 

 

 

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