RDN050N20 Todos los transistores

 

RDN050N20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RDN050N20
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 92 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.72 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220FN
 

 Búsqueda de reemplazo de RDN050N20 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

RDN050N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:82K  rohm
 rdn050n20.pdf pdf_icon

RDN050N20

RDN050N20 Transistors 10V Drive Nch MOS FET RDN050N20 External dimensions (Unit : mm) Structure Silicon N-channel TO-220FN10.0 4.53.2 2.8MOS FET Features 1) Low on-resistance. 1.21.32) Low input capacitance. 3) Exellent resistance to damage from static electricity. 0.8(1)Gate2.54 2.54 0.75 2.6(2)Drain(1) (2) (3)(3)Source Application Switching

Otros transistores... RCX510N25 , RCX511N25 , RCX700N20 , RDD020N60 , RDD022N50 , RDD022N60 , RDD023N50 , RDD050N20 , IRLZ44N , RDN100N20 , RDN120N25 , RDN150N20 , RDR005N25 , R5005CNX , R5007FNX , R5009FNJ , R5011FNJ .

History: RCX051N25 | IRFR3709Z | FDBL86366-F085 | FDN327N | RF1S640SM | 2SJ548 | FDA79N15

 

 
Back to Top

 


 
.