RDN050N20 - описание и поиск аналогов

 

RDN050N20. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RDN050N20

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 92 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.72 Ohm

Тип корпуса: TO-220FN

Аналог (замена) для RDN050N20

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RDN050N20 даташит

 ..1. Size:82K  rohm
 rdn050n20.pdf pdf_icon

RDN050N20

RDN050N20 Transistors 10V Drive Nch MOS FET RDN050N20 External dimensions (Unit mm) Structure Silicon N-channel TO-220FN 10.0 4.5 3.2 2.8 MOS FET Features 1) Low on-resistance. 1.2 1.3 2) Low input capacitance. 3) Exellent resistance to damage from static electricity. 0.8 (1)Gate 2.54 2.54 0.75 2.6 (2)Drain (1) (2) (3) (3)Source Application Switching

Другие MOSFET... RCX510N25 , RCX511N25 , RCX700N20 , RDD020N60 , RDD022N50 , RDD022N60 , RDD023N50 , RDD050N20 , AON6380 , RDN100N20 , RDN120N25 , RDN150N20 , RDR005N25 , R5005CNX , R5007FNX , R5009FNJ , R5011FNJ .

History: AGM665E | MTP12N10L | GM8205

 

 

 

 

↑ Back to Top
.