Справочник MOSFET. RDN050N20

 

RDN050N20 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: RDN050N20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 92 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.72 Ohm
   Тип корпуса: TO-220FN

 Аналог (замена) для RDN050N20

 

 

RDN050N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:82K  rohm
 rdn050n20.pdf

RDN050N20 RDN050N20

RDN050N20 Transistors 10V Drive Nch MOS FET RDN050N20 External dimensions (Unit : mm) Structure Silicon N-channel TO-220FN10.0 4.53.2 2.8MOS FET Features 1) Low on-resistance. 1.21.32) Low input capacitance. 3) Exellent resistance to damage from static electricity. 0.8(1)Gate2.54 2.54 0.75 2.6(2)Drain(1) (2) (3)(3)Source Application Switching

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top