Справочник MOSFET. RDN050N20

 

RDN050N20 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RDN050N20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 92 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.72 Ohm
   Тип корпуса: TO-220FN
 

 Аналог (замена) для RDN050N20

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RDN050N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:82K  rohm
 rdn050n20.pdf pdf_icon

RDN050N20

RDN050N20 Transistors 10V Drive Nch MOS FET RDN050N20 External dimensions (Unit : mm) Structure Silicon N-channel TO-220FN10.0 4.53.2 2.8MOS FET Features 1) Low on-resistance. 1.21.32) Low input capacitance. 3) Exellent resistance to damage from static electricity. 0.8(1)Gate2.54 2.54 0.75 2.6(2)Drain(1) (2) (3)(3)Source Application Switching

Другие MOSFET... RCX510N25 , RCX511N25 , RCX700N20 , RDD020N60 , RDD022N50 , RDD022N60 , RDD023N50 , RDD050N20 , IRLZ44N , RDN100N20 , RDN120N25 , RDN150N20 , RDR005N25 , R5005CNX , R5007FNX , R5009FNJ , R5011FNJ .

History: STB55NF06L-1 | HFP9N50 | WMK36N60C4 | PDN2313S | WMS05P10TS | NTMFD5C650NLT1G | IRF644NLPBF

 

 
Back to Top

 


 
.