RDN100N20 Todos los transistores

 

RDN100N20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RDN100N20
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 193 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.36 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220FN
 

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RDN100N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:435K  rohm
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RDN100N20

RDN100N20 Transistors Switching (200V, 10A) RDN100N20 External dimensions (Unit : mm) Features 1) Low on-resistance. TO-220FN+0.3+0.34.5 -0.12) Low input capacitance. 10.0 -0.1+0.22.83.20.2 -0.13) Exellent resistance to damage from static electricity. Application 1.2Switching 1.30.8(1) Gate0.75+0.1 2.60.52.540.5 2.540.5 -0.05 Structure

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History: PDC3801R | PDC3904Z | 2SK773

 

 
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