RDN100N20 Todos los transistores

 

RDN100N20 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RDN100N20

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 193 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.36 Ohm

Encapsulados: TO-220FN

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RDN100N20 datasheet

 ..1. Size:435K  rohm
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RDN100N20

RDN100N20 Transistors Switching (200V, 10A) RDN100N20 External dimensions (Unit mm) Features 1) Low on-resistance. TO-220FN +0.3 +0.3 4.5 -0.1 2) Low input capacitance. 10.0 -0.1 +0.2 2.8 3.2 0.2 -0.1 3) Exellent resistance to damage from static electricity. Application 1.2 Switching 1.3 0.8 (1) Gate 0.75+0.1 2.6 0.5 2.54 0.5 2.54 0.5 -0.05 Structure

Otros transistores... RCX511N25 , RCX700N20 , RDD020N60 , RDD022N50 , RDD022N60 , RDD023N50 , RDD050N20 , RDN050N20 , IRF530 , RDN120N25 , RDN150N20 , RDR005N25 , R5005CNX , R5007FNX , R5009FNJ , R5011FNJ , R5016FNJ .

 

 

 

 

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