RDN100N20 - описание и поиск аналогов

 

RDN100N20. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RDN100N20

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 193 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm

Тип корпуса: TO-220FN

Аналог (замена) для RDN100N20

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RDN100N20 даташит

 ..1. Size:435K  rohm
 rdn100n20.pdf pdf_icon

RDN100N20

RDN100N20 Transistors Switching (200V, 10A) RDN100N20 External dimensions (Unit mm) Features 1) Low on-resistance. TO-220FN +0.3 +0.3 4.5 -0.1 2) Low input capacitance. 10.0 -0.1 +0.2 2.8 3.2 0.2 -0.1 3) Exellent resistance to damage from static electricity. Application 1.2 Switching 1.3 0.8 (1) Gate 0.75+0.1 2.6 0.5 2.54 0.5 2.54 0.5 -0.05 Structure

Другие MOSFET... RCX511N25 , RCX700N20 , RDD020N60 , RDD022N50 , RDD022N60 , RDD023N50 , RDD050N20 , RDN050N20 , IRF530 , RDN120N25 , RDN150N20 , RDR005N25 , R5005CNX , R5007FNX , R5009FNJ , R5011FNJ , R5016FNJ .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.