Справочник MOSFET. RDN100N20

 

RDN100N20 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RDN100N20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 29 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 193 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm
   Тип корпуса: TO-220FN
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RDN100N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:435K  rohm
 rdn100n20.pdf pdf_icon

RDN100N20

RDN100N20 Transistors Switching (200V, 10A) RDN100N20 External dimensions (Unit : mm) Features 1) Low on-resistance. TO-220FN+0.3+0.34.5 -0.12) Low input capacitance. 10.0 -0.1+0.22.83.20.2 -0.13) Exellent resistance to damage from static electricity. Application 1.2Switching 1.30.8(1) Gate0.75+0.1 2.60.52.540.5 2.540.5 -0.05 Structure

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: KX6N70 | CHM1503YJGP

 

 
Back to Top

 


 
.