Справочник MOSFET. RDN100N20

 

RDN100N20 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RDN100N20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 193 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm
   Тип корпуса: TO-220FN
 

 Аналог (замена) для RDN100N20

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RDN100N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:435K  rohm
 rdn100n20.pdf pdf_icon

RDN100N20

RDN100N20 Transistors Switching (200V, 10A) RDN100N20 External dimensions (Unit : mm) Features 1) Low on-resistance. TO-220FN+0.3+0.34.5 -0.12) Low input capacitance. 10.0 -0.1+0.22.83.20.2 -0.13) Exellent resistance to damage from static electricity. Application 1.2Switching 1.30.8(1) Gate0.75+0.1 2.60.52.540.5 2.540.5 -0.05 Structure

Другие MOSFET... RCX511N25 , RCX700N20 , RDD020N60 , RDD022N50 , RDD022N60 , RDD023N50 , RDD050N20 , RDN050N20 , AO4407 , RDN120N25 , RDN150N20 , RDR005N25 , R5005CNX , R5007FNX , R5009FNJ , R5011FNJ , R5016FNJ .

History: PDP0980 | HSBE2738

 

 
Back to Top

 


 
.