R5005CNX MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: R5005CNX
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.6 Ohm
Encapsulados: TO-220FM
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R5005CNX datasheet
r5005cnx.pdf
R5005CNX Datasheet Nch 500V 5A Power MOSFET lOutline l TO-220FM VDSS 500V RDS(on)(Max.) 1.6 ID 5A PD 40W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. 4) Drive circuits
r5005cnj.pdf
Data Sheet 10V Drive Nch MOSFET R5005CNJ Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET LPTS 10.1 4.5 1.3 Features 1.24 1) Low on-resistance. 2) High-speed switching. 2.54 0.4 0.78 2.7 3) Wide range of SOA. 5.08 (1) Gate (1) (2) (3) (2) Drain 4) Drive circuits can be simple. (3) Source 5) Parallel use is easy. Application Switching Packagin
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History: SML4020BN
History: SML4020BN
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