R5005CNX Todos los transistores

 

R5005CNX MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: R5005CNX
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220FM
 

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R5005CNX Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1623K  rohm
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R5005CNX

R5005CNXDatasheetNch 500V 5A Power MOSFETlOutlinel TO-220FMVDSS500VRDS(on)(Max.)1.6 ID5A PD40W lInner circuitllFeaturesl1) Low on-resistance.2) Fast switching speed.3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteedto be 30V.4) Drive circuits

 7.1. Size:1198K  rohm
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R5005CNX

Data Sheet10V Drive Nch MOSFET R5005CNJ Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETLPTS10.1 4.51.3Features1.241) Low on-resistance.2) High-speed switching.2.54 0.40.782.73) Wide range of SOA. 5.08(1) Gate(1) (2) (3)(2) Drain4) Drive circuits can be simple.(3) Source5) Parallel use is easy. ApplicationSwitching Packagin

Otros transistores... RDD022N60 , RDD023N50 , RDD050N20 , RDN050N20 , RDN100N20 , RDN120N25 , RDN150N20 , RDR005N25 , 20N50 , R5007FNX , R5009FNJ , R5011FNJ , R5016FNJ , R5021ANJ , R520 , R521 , R6002END .

History: IRF7483MTRPBF | WMM10N60C4 | KIA65R420

 

 
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