Справочник MOSFET. R5005CNX

 

R5005CNX Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: R5005CNX
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm
   Тип корпуса: TO-220FM
 

 Аналог (замена) для R5005CNX

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

R5005CNX Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1623K  rohm
 r5005cnx.pdf pdf_icon

R5005CNX

R5005CNXDatasheetNch 500V 5A Power MOSFETlOutlinel TO-220FMVDSS500VRDS(on)(Max.)1.6 ID5A PD40W lInner circuitllFeaturesl1) Low on-resistance.2) Fast switching speed.3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteedto be 30V.4) Drive circuits

 7.1. Size:1198K  rohm
 r5005cnj.pdf pdf_icon

R5005CNX

Data Sheet10V Drive Nch MOSFET R5005CNJ Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETLPTS10.1 4.51.3Features1.241) Low on-resistance.2) High-speed switching.2.54 0.40.782.73) Wide range of SOA. 5.08(1) Gate(1) (2) (3)(2) Drain4) Drive circuits can be simple.(3) Source5) Parallel use is easy. ApplicationSwitching Packagin

Другие MOSFET... RDD022N60 , RDD023N50 , RDD050N20 , RDN050N20 , RDN100N20 , RDN120N25 , RDN150N20 , RDR005N25 , 20N50 , R5007FNX , R5009FNJ , R5011FNJ , R5016FNJ , R5021ANJ , R520 , R521 , R6002END .

History: TK10A50W | SiS412DN | RFD15P05SM | FDMS8050 | MTP2N50 | KO3415A | NCEP02T11D

 

 
Back to Top

 


 
.