R5021ANJ Todos los transistores

 

R5021ANJ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: R5021ANJ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1000 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.22 Ohm
   Paquete / Cubierta: LPTS
 

 Búsqueda de reemplazo de R5021ANJ MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

R5021ANJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:805K  rohm
 r5021anj.pdf pdf_icon

R5021ANJ

R5021ANJ Nch 500V 21A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS (2) 500V LPTS(SC-83)RDS(on) (Max.)0.22WID21A(1) PD100W(3) lFeatures lInner circuit1) Low on-resistance.(1) Gate 2) Fast switching speed.(2) Drain 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. (3) Source 4) Drive circuits can be simple.*1 Body Diode 5) Parallel use is easy.6) Pb-free

 7.1. Size:231K  rohm
 r5021anx.pdf pdf_icon

R5021ANJ

R5021ANX Transistors 10V Drive Nch MOSFET R5021ANX Dimensions (Unit : mm) Structure Silicon N-channel MOSFETTO-220FM10.0 3.2 4.52.8 Features 1) Low on-resistance. 1.22) Fast switching speed. 1.33) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. 0.8(1)Base4) Drive circuits can be simple. 2.54 2.54 0.75 2.6(2)Collector (1) (2) (3)5) Parallel use is

Otros transistores... RDN120N25 , RDN150N20 , RDR005N25 , R5005CNX , R5007FNX , R5009FNJ , R5011FNJ , R5016FNJ , 10N65 , R520 , R521 , R6002END , R6004END , R6004ENJ , R6004ENX , R6007ENJ , R6007ENX .

History: 19N10L-TM3-T | 19N10G-TF1-T | FIR8N70FG | R520 | MSK4D5N60T | 17P10L-TF1-T

 

 
Back to Top

 


 
.