R5021ANJ MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: R5021ANJ
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1000 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.22 Ohm
Encapsulados: LPTS
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R5021ANJ datasheet
r5021anj.pdf
R5021ANJ Nch 500V 21A Power MOSFET Datasheet lOutline VDSS (2) 500V LPTS (SC-83) RDS(on) (Max.) 0.22W ID 21A (1) PD 100W (3) lFeatures lInner circuit 1) Low on-resistance. (1) Gate 2) Fast switching speed. (2) Drain 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. (3) Source 4) Drive circuits can be simple. *1 Body Diode 5) Parallel use is easy. 6) Pb-free
r5021anx.pdf
R5021ANX Transistors 10V Drive Nch MOSFET R5021ANX Dimensions (Unit mm) Structure Silicon N-channel MOSFET TO-220FM 10.0 3.2 4.5 2.8 Features 1) Low on-resistance. 1.2 2) Fast switching speed. 1.3 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. 0.8 (1)Base 4) Drive circuits can be simple. 2.54 2.54 0.75 2.6 (2)Collector (1) (2) (3) 5) Parallel use is
Otros transistores... RDN120N25 , RDN150N20 , RDR005N25 , R5005CNX , R5007FNX , R5009FNJ , R5011FNJ , R5016FNJ , 4N60 , R520 , R521 , R6002END , R6004END , R6004ENJ , R6004ENX , R6007ENJ , R6007ENX .
History: WMQ50P03T1 | AP3700MT
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