Справочник MOSFET. R5021ANJ

 

R5021ANJ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: R5021ANJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 64 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1000 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.22 Ohm
   Тип корпуса: LPTS
 

 Аналог (замена) для R5021ANJ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

R5021ANJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:805K  rohm
 r5021anj.pdf pdf_icon

R5021ANJ

R5021ANJ Nch 500V 21A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS (2) 500V LPTS(SC-83)RDS(on) (Max.)0.22WID21A(1) PD100W(3) lFeatures lInner circuit1) Low on-resistance.(1) Gate 2) Fast switching speed.(2) Drain 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. (3) Source 4) Drive circuits can be simple.*1 Body Diode 5) Parallel use is easy.6) Pb-free

 7.1. Size:231K  rohm
 r5021anx.pdf pdf_icon

R5021ANJ

R5021ANX Transistors 10V Drive Nch MOSFET R5021ANX Dimensions (Unit : mm) Structure Silicon N-channel MOSFETTO-220FM10.0 3.2 4.52.8 Features 1) Low on-resistance. 1.22) Fast switching speed. 1.33) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. 0.8(1)Base4) Drive circuits can be simple. 2.54 2.54 0.75 2.6(2)Collector (1) (2) (3)5) Parallel use is

Другие MOSFET... RDN120N25 , RDN150N20 , RDR005N25 , R5005CNX , R5007FNX , R5009FNJ , R5011FNJ , R5016FNJ , 10N65 , R520 , R521 , R6002END , R6004END , R6004ENJ , R6004ENX , R6007ENJ , R6007ENX .

 

 
Back to Top

 


 
.