R6002END MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: R6002END
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 6.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-63

Búsqueda de reemplazo de MOSFET R6002END

R6002END Datasheet (PDF)

..1. Size:2825K rohm
r6002end.pdf

R6002ENDDatasheetNch 600V 2A Power MOSFETlOutlinel CPT3VDSS 600VRDS(on)(Max.) 3.4 ID 1.7A PD 20W lInner circuitllFeaturesl1) Low on-resistance.2) Fast switching speed.3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed tobe 20V.4) Drive circuits can be simpl

0.1. Size:1520K 1
r6002end3.pdf

R6002END3DatasheetNch 600V 2A Power MOSFETlOutlinel TO-252VDSS 600VRDS(on)(Max.) 3.4ID 1.7APD 26W lFeaturesllInner circuitl1) Low on-resistance2) Fast switching4) Drive circuits can be simple5) Parallel use is easy6) Pb-free plating ; RoHS compliantlApplicationllPackaging specifications

0.2. Size:266K inchange semiconductor
r6002end3.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor R6002END3FEATURESDrain Current I =1.7A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 3.4(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpo

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Liste

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