R6002END Todos los transistores

 

R6002END MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: R6002END

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.4 Ohm

Encapsulados: SC-63

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R6002END datasheet

 ..1. Size:2825K  rohm
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R6002END

R6002END Datasheet Nch 600V 2A Power MOSFET lOutline l CPT3 VDSS 600V RDS(on)(Max.) 3.4 ID 1.7A PD 20W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 20V. 4) Drive circuits can be simpl

 0.1. Size:1520K  1
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R6002END

R6002END3 Datasheet Nch 600V 2A Power MOSFET lOutline l TO-252 VDSS 600V RDS(on)(Max.) 3.4 ID 1.7A PD 26W lFeatures l lInner circuit l 1) Low on-resistance 2) Fast switching 4) Drive circuits can be simple 5) Parallel use is easy 6) Pb-free plating ; RoHS compliant lApplication l lPackaging specifications

 0.2. Size:266K  inchange semiconductor
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R6002END

isc N-Channel MOSFET Transistor R6002END3 FEATURES Drain Current I =1.7A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =600V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 3.4 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpo

Otros transistores... R5005CNX , R5007FNX , R5009FNJ , R5011FNJ , R5016FNJ , R5021ANJ , R520 , R521 , 2SK3568 , R6004END , R6004ENJ , R6004ENX , R6007ENJ , R6007ENX , R6009ENJ , R6009ENX , R6011ENJ .

History: 2SK3111 | MMN400A006U1 | XP161A1265PR-G | 2SK2551 | AOW10N60 | G18N20K | SMNY2Z30

 

 

 

 

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