R6002END - описание и поиск аналогов

 

R6002END. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: R6002END

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.4 Ohm

Тип корпуса: SC-63

Аналог (замена) для R6002END

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

R6002END даташит

 ..1. Size:2825K  rohm
 r6002end.pdf pdf_icon

R6002END

R6002END Datasheet Nch 600V 2A Power MOSFET lOutline l CPT3 VDSS 600V RDS(on)(Max.) 3.4 ID 1.7A PD 20W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 20V. 4) Drive circuits can be simpl

 0.1. Size:1520K  1
 r6002end3.pdf pdf_icon

R6002END

R6002END3 Datasheet Nch 600V 2A Power MOSFET lOutline l TO-252 VDSS 600V RDS(on)(Max.) 3.4 ID 1.7A PD 26W lFeatures l lInner circuit l 1) Low on-resistance 2) Fast switching 4) Drive circuits can be simple 5) Parallel use is easy 6) Pb-free plating ; RoHS compliant lApplication l lPackaging specifications

 0.2. Size:266K  inchange semiconductor
 r6002end3.pdf pdf_icon

R6002END

isc N-Channel MOSFET Transistor R6002END3 FEATURES Drain Current I =1.7A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =600V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 3.4 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpo

Другие MOSFET... R5005CNX , R5007FNX , R5009FNJ , R5011FNJ , R5016FNJ , R5021ANJ , R520 , R521 , 2SK3568 , R6004END , R6004ENJ , R6004ENX , R6007ENJ , R6007ENX , R6009ENJ , R6009ENX , R6011ENJ .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.