RFD3N08L Todos los transistores

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RFD3N08L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RFD3N08L

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 30 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 80 V

Corriente continua de drenaje (Id): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.8 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO251AA

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RFD3N08L Datasheet (PDF)

1.1. rfd3n08l-sm.pdf Size:365K _fairchild_semi

RFD3N08L
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RFD3N08L, RFD3N08LSM Data Sheet July 1999 File Number 2836.4 3A, 80V, 0.800 Ohm, Logic Level, Features N-Channel Power MOSFETs • 3A, 80V Title The RFD3N08L and RFD3N08LSM are N-Channel • rDS(ON) = 0.800Ω enhancement mode silicon gate power field effect transistors FD3 • Temperature Compensating PSPICE® Model specifically designed for use with logic level (5V) driving 8L,

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