Справочник MOSFET. RFD3N08L

 

RFD3N08L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RFD3N08L
   Маркировка: F3N08L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 6.8 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55(max) pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
   Тип корпуса: TO251AA
 

 Аналог (замена) для RFD3N08L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RFD3N08L Datasheet (PDF)

 0.1. Size:365K  fairchild semi
 rfd3n08l-sm.pdf pdf_icon

RFD3N08L

RFD3N08L, RFD3N08LSMData Sheet July 1999 File Number 2836.43A, 80V, 0.800 Ohm, Logic Level, FeaturesN-Channel Power MOSFETs 3A, 80VTitle The RFD3N08L and RFD3N08LSM are N-Channel rDS(ON) = 0.800enhancement mode silicon gate power field effect transistors FD3 Temperature Compensating PSPICE Modelspecifically designed for use with logic level (5V) driving 8L,

Другие MOSFET... RFD16N05LSM , RFD16N05SM , RFD16N06LE , RFD16N06LESM , RFD3055 , RFD3055LE , RFD3055LESM , RFD3055SM , IRFZ44 , RFD3N08LSM , RFD4N06L , RFD4N06LSM , RFD7N10LE , RFD7N10LESM , RFD8P05 , RFD8P05SM , RFD8P06E .

History: NDP610AE | IRFH7936PBF

 

 
Back to Top

 


 
.