R6030ENZ1 Todos los transistores

 

R6030ENZ1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: R6030ENZ1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1900 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247
 

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R6030ENZ1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:864K  rohm
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R6030ENZ1

R6030ENZ1 Nch 600V 30A Power MOSFET Data SheetlOutlineVDSS600V TO-247RDS(on) (Max.)0.130WID30A(3) PD120W(1) (2) lFeatures lInner circuit1) Low on-resistance.(1) Gate 2) Fast switching speed.(2) Drain (3) Source 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 20V.4) Drive circuits can be simple.*1 BODY DIODE 5) Parallel use is easy.6) Pb-free lea

 ..2. Size:303K  inchange semiconductor
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R6030ENZ1

isc N-Channel MOSFET Transistor R6030ENZ1FEATURESDrain Current I = 30A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 130m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp

 6.1. Size:892K  rohm
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R6030ENZ1

R6030ENZ Nch 600V 30A Power MOSFET Data SheetlOutlineVDSS600V TO-3PFRDS(on) (Max.)0.130WID30A(1) (2) PD120W(3) lFeatures lInner circuit1) Low on-resistance.(1) Gate 2) Fast switching speed.(2) Drain (3) Source 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 20V.4) Drive circuits can be simple.*1 BODY DIODE 5) Parallel use is easy.6) Pb-free lead

 6.2. Size:265K  inchange semiconductor
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R6030ENZ1

isc N-Channel MOSFET Transistor R6030ENZFEATURESDrain Current I = 30A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 130m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpo

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History: NCEP048NH150D | JFPC16N50C | IRFP352R | SSA80R240S | SFP133N150AC2 | IRFB4410PBF | TMA20N65HG

 

 
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