R6046FNZC8 Todos los transistores

 

R6046FNZC8 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: R6046FNZC8

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 46 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 150 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3600 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.093 Ohm

Encapsulados: TO-3PF

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R6046FNZC8 datasheet

 ..1. Size:4065K  rohm
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R6046FNZC8

R6046FNZ Datasheet Nch 600V 46A Power MOSFET lOutline l TO-3PF VDSS 600V RDS(on)(Max.) 93m ID 46A PD 120W lInner circuit l lFeatures l 1) Fast reverse recovery time (trr). 2) Low on-resistance. 3) Fast switching speed. 4) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed

 6.1. Size:1170K  rohm
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R6046FNZC8

Data Sheet 10V Drive Nch MOSFET R6046FNZ Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET 5.5 TO-3PF 3.0 15.5 3.6 Features 1) Low on-resistance. 2) Low input capacitance. 2.0 2.0 3.0 3) High ESD. 0.75 (1) Gate (1) (2) (3) 0.9 (2) Drain Application 5.45 5.45 (3) Source Switching Packaging specifications Inner circuit Package Bulk Type

 6.2. Size:754K  rohm
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R6046FNZC8

R6046FNZ1 Nch 600V 46A Power MOSFET Datasheet lOutline VDSS 600V TO-247 RDS(on) (Max.) 0.098W ID 46A (3) PD 120W (1) (2) lFeatures lInner circuit 1) Low on-resistance. (1) Gate 2) Fast switching speed. (2) Drain (3) Source 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. 4) Drive circuits can be simple. *1 BODY DIODE 5) Parallel use is easy. 6) Pb-free lead

 9.1. Size:748K  rohm
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R6046FNZC8

R6046ANZ1 Nch 600V 46A Power MOSFET Datasheet lOutline VDSS 600V TO-247 RDS(on) (Max.) 0.09W ID 46A (3) PD 120W (1) (2) lFeatures lInner circuit 1) Low on-resistance. (1) Gate 2) Fast switching speed. (2) Drain (3) Source 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. 4) Drive circuits can be simple. *1 BODY DIODE 5) Parallel use is easy. 6) Pb-free lead

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History: BSC0906NS | R6035ENZ1

 

 

 

 

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