R6046FNZC8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: R6046FNZC8
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 46 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 150 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 150 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3600 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.093 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-3PF
Búsqueda de reemplazo de MOSFET R6046FNZC8
R6046FNZC8 Datasheet (PDF)
r6046fnzc8.pdf
R6046FNZDatasheetNch 600V 46A Power MOSFETlOutlinel TO-3PFVDSS600VRDS(on)(Max.)93m ID46A PD120W lInner circuitllFeaturesl1) Fast reverse recovery time (trr).2) Low on-resistance.3) Fast switching speed.4) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed
r6046fnz.pdf
Data Sheet10V Drive Nch MOSFET R6046FNZ Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFET 5.5TO-3PF3.015.53.6Features1) Low on-resistance.2) Low input capacitance.2.02.03.03) High ESD.0.75(1) Gate(1) (2) (3)0.9(2) Drain Application 5.45 5.45(3) SourceSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage BulkType
r6046fnz1.pdf
R6046FNZ1 Nch 600V 46A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS600V TO-247RDS(on) (Max.)0.098WID46A(3) PD120W(1) (2) lFeatures lInner circuit1) Low on-resistance.(1) Gate 2) Fast switching speed.(2) Drain (3) Source 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V.4) Drive circuits can be simple. *1 BODY DIODE 5) Parallel use is easy.6) Pb-free lead
r6046anz1.pdf
R6046ANZ1 Nch 600V 46A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS600V TO-247RDS(on) (Max.)0.09WID46A(3) PD120W(1) (2) lFeatures lInner circuit1) Low on-resistance.(1) Gate 2) Fast switching speed.(2) Drain (3) Source 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V.4) Drive circuits can be simple.*1 BODY DIODE 5) Parallel use is easy.6) Pb-free lead
r6046anz.pdf
Data Sheet10V Drive Nch MOSFET R6046ANZ Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFET 5.5TO-3PF3.015.53.6Features1) Low on-resistance.2) Low input capacitance.2.02.03.03) High ESD.0.75(1) Gate(1) (2) (3)0.9(2) Drain Application 5.45 5.45(3) SourceSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage BulkType
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Liste
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