R6076ENZ1 Todos los transistores

 

R6076ENZ1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: R6076ENZ1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 76 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 170 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 4700 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.042 Ohm

Encapsulados: TO-247

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R6076ENZ1 datasheet

 ..1. Size:901K  rohm
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R6076ENZ1

R6076ENZ1 Nch 600V 76A Power MOSFET Data Sheet lOutline VDSS 600V TO-247 RDS(on) (Max.) 0.042W ID 76A (3) PD 120W (1) (2) lFeatures lInner circuit 1) Low on-resistance. (1) Gate 2) Fast switching speed. (2) Drain (3) Source 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 20V. 4) Drive circuits can be simple. *1 BODY DIODE 5) Parallel use is easy. 6) Pb-free lea

 ..2. Size:303K  inchange semiconductor
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R6076ENZ1

isc N-Channel MOSFET Transistor R6076ENZ1 FEATURES Drain Current I = 76A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 600V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 42m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purp

Otros transistores... R6030ENZ , R6030ENZ1 , R6035ENZ , R6035ENZ1 , R6046ANZ1 , R6046FNZ1 , R6046FNZC8 , R6047ENZ1 , IRFP064N , R8005ANX , R8010ANX , R9521 , R9522 , 2SJ455 , 2SK0123 , BSC0906NS , IPD09N03LA .

 

 

 

 

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