R6076ENZ1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: R6076ENZ1
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 120 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 76 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 260 nC
Tiempo de subida (tr): 170 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 4700 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.042 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-247
Búsqueda de reemplazo de MOSFET R6076ENZ1
R6076ENZ1 Datasheet (PDF)
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R6076ENZ1 Nch 600V 76A Power MOSFET Data SheetlOutlineVDSS600V TO-247RDS(on) (Max.)0.042WID76A(3) PD120W(1) (2) lFeatures lInner circuit1) Low on-resistance.(1) Gate 2) Fast switching speed.(2) Drain (3) Source 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 20V.4) Drive circuits can be simple.*1 BODY DIODE 5) Parallel use is easy.6) Pb-free lea
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isc N-Channel MOSFET Transistor R6076ENZ1FEATURESDrain Current I = 76A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 42m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp
Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .