R6076ENZ1 Todos los transistores

 

R6076ENZ1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: R6076ENZ1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 76 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 170 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 4700 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.042 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247
 

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R6076ENZ1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:901K  rohm
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R6076ENZ1

R6076ENZ1 Nch 600V 76A Power MOSFET Data SheetlOutlineVDSS600V TO-247RDS(on) (Max.)0.042WID76A(3) PD120W(1) (2) lFeatures lInner circuit1) Low on-resistance.(1) Gate 2) Fast switching speed.(2) Drain (3) Source 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 20V.4) Drive circuits can be simple.*1 BODY DIODE 5) Parallel use is easy.6) Pb-free lea

 ..2. Size:303K  inchange semiconductor
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R6076ENZ1

isc N-Channel MOSFET Transistor R6076ENZ1FEATURESDrain Current I = 76A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 42m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp

Otros transistores... R6030ENZ , R6030ENZ1 , R6035ENZ , R6035ENZ1 , R6046ANZ1 , R6046FNZ1 , R6046FNZC8 , R6047ENZ1 , IRFP064N , R8005ANX , R8010ANX , R9521 , R9522 , 2SJ455 , 2SK0123 , BSC0906NS , IPD09N03LA .

History: SMF10N65 | LNG5N65B | SMF10N60 | 2SJ355 | LNH04R035B | SRC65R110B | 2SK3353-S

 

 
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