R6076ENZ1 - аналоги и даташиты транзистора

 

R6076ENZ1 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: R6076ENZ1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 76 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 170 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 4700 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для R6076ENZ1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

R6076ENZ1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:901K  rohm
 r6076enz1.pdf pdf_icon

R6076ENZ1

R6076ENZ1 Nch 600V 76A Power MOSFET Data SheetlOutlineVDSS600V TO-247RDS(on) (Max.)0.042WID76A(3) PD120W(1) (2) lFeatures lInner circuit1) Low on-resistance.(1) Gate 2) Fast switching speed.(2) Drain (3) Source 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 20V.4) Drive circuits can be simple.*1 BODY DIODE 5) Parallel use is easy.6) Pb-free lea

 ..2. Size:303K  inchange semiconductor
 r6076enz1.pdf pdf_icon

R6076ENZ1

isc N-Channel MOSFET Transistor R6076ENZ1FEATURESDrain Current I = 76A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 42m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp

Другие MOSFET... R6030ENZ , R6030ENZ1 , R6035ENZ , R6035ENZ1 , R6046ANZ1 , R6046FNZ1 , R6046FNZC8 , R6047ENZ1 , IRFP064N , R8005ANX , R8010ANX , R9521 , R9522 , 2SJ455 , 2SK0123 , BSC0906NS , IPD09N03LA .

History: R6046ANZ1 | R6046FNZC8 | IGLD60R190D1 | IMZA65R048M1H | SMF10N60 | IPA029N06NM5S | IAUC90N10S5N062

 

 
Back to Top

 


 
.