R6076ENZ1 - описание и поиск аналогов

 

R6076ENZ1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: R6076ENZ1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 76 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 170 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 4700 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для R6076ENZ1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

R6076ENZ1 даташит

 ..1. Size:901K  rohm
 r6076enz1.pdf pdf_icon

R6076ENZ1

R6076ENZ1 Nch 600V 76A Power MOSFET Data Sheet lOutline VDSS 600V TO-247 RDS(on) (Max.) 0.042W ID 76A (3) PD 120W (1) (2) lFeatures lInner circuit 1) Low on-resistance. (1) Gate 2) Fast switching speed. (2) Drain (3) Source 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 20V. 4) Drive circuits can be simple. *1 BODY DIODE 5) Parallel use is easy. 6) Pb-free lea

 ..2. Size:303K  inchange semiconductor
 r6076enz1.pdf pdf_icon

R6076ENZ1

isc N-Channel MOSFET Transistor R6076ENZ1 FEATURES Drain Current I = 76A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 600V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 42m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purp

Другие MOSFET... R6030ENZ , R6030ENZ1 , R6035ENZ , R6035ENZ1 , R6046ANZ1 , R6046FNZ1 , R6046FNZC8 , R6047ENZ1 , IRFP064N , R8005ANX , R8010ANX , R9521 , R9522 , 2SJ455 , 2SK0123 , BSC0906NS , IPD09N03LA .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.