R8005ANX MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: R8005ANX
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 40 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 800 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 5 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
   Carga de la puerta (Qg): 21 nC
   Tiempo de subida (tr): 17 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 250 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 2.08 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220FM

Búsqueda de reemplazo de MOSFET R8005ANX

R8005ANX Datasheet (PDF)

..1. Size:838K rohm
r8005anx.pdf

R8005ANX Nch 800V 5A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS800V TO-220FMRDS(on) (Max.)2.08WID5A(3) PD40W(1) (2) lFeatures lInner circuit1) Low on-resistance.(1) Gate 2) Fast switching speed.(2) Drain 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V.(3) Source 4) Drive circuits can be simple.*1 BODY DIODE 5) Parallel use is easy.6) Pb-free lead pl

..2. Size:251K inchange semiconductor
r8005anx.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor R8005ANXFEATURESDrain Current I = 5A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =800V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 2.1(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose

7.1. Size:1624K rohm
r8005anj.pdf

R8005ANJDatasheetNch 800V 5A Power MOSFETlOutlinel TO-263VDSS 800V SC-83RDS(on)(Max.) 2.1 LPT(S)ID 5APD 120W lInner circuitllFeaturesl1) Low on-resistance.2) Fast switching speed.3) Parallel use is easy.4) Pb-free plating ; RoHS compliantlPackaging specificationslEmbossed PackingTape Reel size

7.2. Size:254K inchange semiconductor
r8005anj.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor R8005ANJFEATURESDrain Current I = 5A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =800V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 2.1(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: