R8005ANX MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: R8005ANX
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 800 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 21 nC
Время нарастания (tr): 17 ns
Выходная емкость (Cd): 250 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.08 Ohm
Тип корпуса: TO-220FM
R8005ANX Datasheet (PDF)
r8005anx.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
R8005ANX Nch 800V 5A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS800V TO-220FMRDS(on) (Max.)2.08WID5A(3) PD40W(1) (2) lFeatures lInner circuit1) Low on-resistance.(1) Gate 2) Fast switching speed.(2) Drain 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V.(3) Source 4) Drive circuits can be simple.*1 BODY DIODE 5) Parallel use is easy.6) Pb-free lead pl
r8005anx.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
isc N-Channel MOSFET Transistor R8005ANXFEATURESDrain Current I = 5A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =800V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 2.1(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose
r8005anj.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
R8005ANJDatasheetNch 800V 5A Power MOSFETlOutlinel TO-263VDSS 800V SC-83RDS(on)(Max.) 2.1 LPT(S)ID 5APD 120W lInner circuitllFeaturesl1) Low on-resistance.2) Fast switching speed.3) Parallel use is easy.4) Pb-free plating ; RoHS compliantlPackaging specificationslEmbossed PackingTape Reel size
r8005anj.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
isc N-Channel MOSFET Transistor R8005ANJFEATURESDrain Current I = 5A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =800V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 2.1(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
![R8005ANX](https://alltransistors.com/images/us.png)
![R8005ANX](https://alltransistors.com/images/es.png)
![R8005ANX](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C