R8010ANX Todos los transistores

 

R8010ANX MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: R8010ANX
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 54 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 830 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.56 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220FM
 

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R8010ANX Datasheet (PDF)

 ..1. Size:829K  rohm
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R8010ANX

R8010ANX Nch 800V 10A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS800VTO-220FMRDS(on) (Max.)0.56WID10A(3) PD40W(1) (2) lFeatures lInner circuit1) Low on-resistance.(1) Gate 2) Fast switching speed.(2) Drain (3) Source 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V.4) Drive circuits can be simple.*1 BODY DIODE 5) Parallel use is easy.6) Pb-free lead p

 ..2. Size:252K  inchange semiconductor
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R8010ANX

isc N-Channel MOSFET Transistor R8010ANXFEATURESDrain Current I = 10A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =800V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.56(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpo

Otros transistores... R6035ENZ , R6035ENZ1 , R6046ANZ1 , R6046FNZ1 , R6046FNZC8 , R6047ENZ1 , R6076ENZ1 , R8005ANX , BS170 , R9521 , R9522 , 2SJ455 , 2SK0123 , BSC0906NS , IPD09N03LA , IPF09N03LA , IPS09N03LA .

History: NTR1P02T1 | CJ1012-G

 

 
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