R8010ANX Todos los transistores

 

R8010ANX MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: R8010ANX

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 54 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 830 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.56 Ohm

Encapsulados: TO-220FM

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R8010ANX datasheet

 ..1. Size:829K  rohm
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R8010ANX

R8010ANX Nch 800V 10A Power MOSFET Datasheet lOutline VDSS 800V TO-220FM RDS(on) (Max.) 0.56W ID 10A (3) PD 40W (1) (2) lFeatures lInner circuit 1) Low on-resistance. (1) Gate 2) Fast switching speed. (2) Drain (3) Source 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. 4) Drive circuits can be simple. *1 BODY DIODE 5) Parallel use is easy. 6) Pb-free lead p

 ..2. Size:252K  inchange semiconductor
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R8010ANX

isc N-Channel MOSFET Transistor R8010ANX FEATURES Drain Current I = 10A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =800V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 0.56 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpo

Otros transistores... R6035ENZ , R6035ENZ1 , R6046ANZ1 , R6046FNZ1 , R6046FNZC8 , R6047ENZ1 , R6076ENZ1 , R8005ANX , IRF730 , R9521 , R9522 , 2SJ455 , 2SK0123 , BSC0906NS , IPD09N03LA , IPF09N03LA , IPS09N03LA .

History: R6046FNZC8 | R6035ENZ1 | BSC0906NS

 

 

 

 

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