R8010ANX - описание и поиск аналогов

 

R8010ANX. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: R8010ANX

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 54 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 830 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.56 Ohm

Тип корпуса: TO-220FM

Аналог (замена) для R8010ANX

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

R8010ANX даташит

 ..1. Size:829K  rohm
 r8010anx.pdf pdf_icon

R8010ANX

R8010ANX Nch 800V 10A Power MOSFET Datasheet lOutline VDSS 800V TO-220FM RDS(on) (Max.) 0.56W ID 10A (3) PD 40W (1) (2) lFeatures lInner circuit 1) Low on-resistance. (1) Gate 2) Fast switching speed. (2) Drain (3) Source 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. 4) Drive circuits can be simple. *1 BODY DIODE 5) Parallel use is easy. 6) Pb-free lead p

 ..2. Size:252K  inchange semiconductor
 r8010anx.pdf pdf_icon

R8010ANX

isc N-Channel MOSFET Transistor R8010ANX FEATURES Drain Current I = 10A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =800V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 0.56 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpo

Другие MOSFET... R6035ENZ , R6035ENZ1 , R6046ANZ1 , R6046FNZ1 , R6046FNZC8 , R6047ENZ1 , R6076ENZ1 , R8005ANX , IRF730 , R9521 , R9522 , 2SJ455 , 2SK0123 , BSC0906NS , IPD09N03LA , IPF09N03LA , IPS09N03LA .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.