Справочник MOSFET. R8010ANX

 

R8010ANX Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: R8010ANX
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 54 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 830 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.56 Ohm
   Тип корпуса: TO-220FM
 

 Аналог (замена) для R8010ANX

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

R8010ANX Datasheet (PDF)

 ..1. Size:829K  rohm
 r8010anx.pdf pdf_icon

R8010ANX

R8010ANX Nch 800V 10A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS800VTO-220FMRDS(on) (Max.)0.56WID10A(3) PD40W(1) (2) lFeatures lInner circuit1) Low on-resistance.(1) Gate 2) Fast switching speed.(2) Drain (3) Source 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V.4) Drive circuits can be simple.*1 BODY DIODE 5) Parallel use is easy.6) Pb-free lead p

 ..2. Size:252K  inchange semiconductor
 r8010anx.pdf pdf_icon

R8010ANX

isc N-Channel MOSFET Transistor R8010ANXFEATURESDrain Current I = 10A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =800V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.56(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpo

Другие MOSFET... R6035ENZ , R6035ENZ1 , R6046ANZ1 , R6046FNZ1 , R6046FNZC8 , R6047ENZ1 , R6076ENZ1 , R8005ANX , BS170 , R9521 , R9522 , 2SJ455 , 2SK0123 , BSC0906NS , IPD09N03LA , IPF09N03LA , IPS09N03LA .

History: WMP07N65C2 | NCE3080K | WMR12N03T1 | 2SK2164 | TPC8228H | IPI037N08N3G | HSCE2530

 

 
Back to Top

 


 
.