RFD3N08LSM MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RFD3N08LSM

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 max pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm

Encapsulados: TO252AA

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RFD3N08LSM datasheet

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RFD3N08LSM

RFD3N08L, RFD3N08LSM Data Sheet July 1999 File Number 2836.4 3A, 80V, 0.800 Ohm, Logic Level, Features N-Channel Power MOSFETs 3A, 80V Title The RFD3N08L and RFD3N08LSM are N-Channel rDS(ON) = 0.800 enhancement mode silicon gate power field effect transistors FD3 Temperature Compensating PSPICE Model specifically designed for use with logic level (5V) driving 8L,

Otros transistores... RFD16N05SM, RFD16N06LE, RFD16N06LESM, RFD3055, RFD3055LE, RFD3055LESM, RFD3055SM, RFD3N08L, IRF640, RFD4N06L, RFD4N06LSM, RFD7N10LE, RFD7N10LESM, RFD8P05, RFD8P05SM, RFD8P06E, RFD8P06ESM