RFD3N08LSM Todos los transistores

 

RFD3N08LSM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RFD3N08LSM
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55(max) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252AA
     - Selección de transistores por parámetros

 

RFD3N08LSM Datasheet (PDF)

 6.1. Size:365K  fairchild semi
 rfd3n08l-sm.pdf pdf_icon

RFD3N08LSM

RFD3N08L, RFD3N08LSMData Sheet July 1999 File Number 2836.43A, 80V, 0.800 Ohm, Logic Level, FeaturesN-Channel Power MOSFETs 3A, 80VTitle The RFD3N08L and RFD3N08LSM are N-Channel rDS(ON) = 0.800enhancement mode silicon gate power field effect transistors FD3 Temperature Compensating PSPICE Modelspecifically designed for use with logic level (5V) driving 8L,

Otros transistores... RFD16N05SM , RFD16N06LE , RFD16N06LESM , RFD3055 , RFD3055LE , RFD3055LESM , RFD3055SM , RFD3N08L , IRFZ44 , RFD4N06L , RFD4N06LSM , RFD7N10LE , RFD7N10LESM , RFD8P05 , RFD8P05SM , RFD8P06E , RFD8P06ESM .

History: STV8NA50 | AON3806 | SSU80R1K3S | SSG4394N | HUF75623P3 | STP19N06FI | STS4DPF30L

 

 
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