RFD3N08LSM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: RFD3N08LSM
   Código: F3N08L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 6.8 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55(max) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252AA

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RFD3N08LSM Datasheet (PDF)

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rfd3n08l-sm.pdf

RFD3N08L, RFD3N08LSMData Sheet July 1999 File Number 2836.43A, 80V, 0.800 Ohm, Logic Level, FeaturesN-Channel Power MOSFETs 3A, 80VTitle The RFD3N08L and RFD3N08LSM are N-Channel rDS(ON) = 0.800enhancement mode silicon gate power field effect transistors FD3 Temperature Compensating PSPICE Modelspecifically designed for use with logic level (5V) driving 8L,

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Liste

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