RFD3N08LSM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RFD3N08LSM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 55 max pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm

Тип корпуса: TO252AA

Аналог (замена) для RFD3N08LSM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RFD3N08LSM даташит

 6.1. Size:365K  fairchild semi
 rfd3n08l-sm.pdf pdf_icon

RFD3N08LSM

RFD3N08L, RFD3N08LSM Data Sheet July 1999 File Number 2836.4 3A, 80V, 0.800 Ohm, Logic Level, Features N-Channel Power MOSFETs 3A, 80V Title The RFD3N08L and RFD3N08LSM are N-Channel rDS(ON) = 0.800 enhancement mode silicon gate power field effect transistors FD3 Temperature Compensating PSPICE Model specifically designed for use with logic level (5V) driving 8L,

Другие IGBT... RFD16N05SM, RFD16N06LE, RFD16N06LESM, RFD3055, RFD3055LE, RFD3055LESM, RFD3055SM, RFD3N08L, IRF640, RFD4N06L, RFD4N06LSM, RFD7N10LE, RFD7N10LESM, RFD8P05, RFD8P05SM, RFD8P06E, RFD8P06ESM