RFD3N08LSM - аналоги и даташиты транзистора

 

RFD3N08LSM - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: RFD3N08LSM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55(max) pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
   Тип корпуса: TO252AA
 

 Аналог (замена) для RFD3N08LSM

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RFD3N08LSM Datasheet (PDF)

 6.1. Size:365K  fairchild semi
 rfd3n08l-sm.pdf pdf_icon

RFD3N08LSM

RFD3N08L, RFD3N08LSMData Sheet July 1999 File Number 2836.43A, 80V, 0.800 Ohm, Logic Level, FeaturesN-Channel Power MOSFETs 3A, 80VTitle The RFD3N08L and RFD3N08LSM are N-Channel rDS(ON) = 0.800enhancement mode silicon gate power field effect transistors FD3 Temperature Compensating PSPICE Modelspecifically designed for use with logic level (5V) driving 8L,

Другие MOSFET... RFD16N05SM , RFD16N06LE , RFD16N06LESM , RFD3055 , RFD3055LE , RFD3055LESM , RFD3055SM , RFD3N08L , IRFZ44 , RFD4N06L , RFD4N06LSM , RFD7N10LE , RFD7N10LESM , RFD8P05 , RFD8P05SM , RFD8P06E , RFD8P06ESM .

History: ME2307-G | IRLMS6702PBF | NTMFS4821N | ME2308S

 

 
Back to Top

 


 
.