IPF09N03LA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IPF09N03LA
Código: 09N03LA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 63 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 25 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 50 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2 V
Carga de compuerta (Qg): 10 nC
Tiempo de elevación (tr): 5.6 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 474 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0088 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO252
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IPF09N03LA Datasheet (PDF)
1.1. ipd09n03la ipf09n03la ips09n03la ipu09n03la.pdf 
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IPD09N03LA IPF09N03LA IPS09N03LA IPU09N03LA OptiMOS®2 Power-Transistor Product Summary Features V 25 V DS • Ideal for high-frequency dc/dc converters R (SMD version) 8.6 mΩ DS(on),max • Qualified according to JEDEC1) for target application I 50 A D • N-channel, logic level • Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) • Superior thermal resistance • 175 °C
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , 2N7002 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
