Справочник MOSFET. IPF09N03LA

 

IPF09N03LA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IPF09N03LA

Маркировка: 09N03LA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 63 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 25 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 50 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 10 nC

Время нарастания (tr): 5.6 ns

Выходная емкость (Cd): 474 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0088 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для IPF09N03LA

 

 

IPF09N03LA Datasheet (PDF)

1.1. ipd09n03la ipf09n03la ips09n03la ipu09n03la.pdf Size:413K _update-mosfet

IPF09N03LA IPF09N03LA

IPD09N03LA IPF09N03LA IPS09N03LA IPU09N03LA OptiMOS®2 Power-Transistor Product Summary Features V 25 V DS • Ideal for high-frequency dc/dc converters R (SMD version) 8.6 mΩ DS(on),max • Qualified according to JEDEC1) for target application I 50 A D • N-channel, logic level • Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) • Superior thermal resistance • 175 °C

Другие MOSFET... GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , IRF250 , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL , FDMS3604S , GWM100-01X1-SMD , FDMS3602AS , GWM120-0075X1-SL .

 

 
Back to Top