IPS09N03LA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPS09N03LA

Código: 09N03LA

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 63 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 25 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 50 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2 V

Carga de compuerta (Qg): 10 nC

Tiempo de elevación (tr): 5.6 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 474 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0088 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO251

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IPS09N03LA Datasheet (PDF)

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IPD09N03LA IPF09N03LA IPS09N03LA IPU09N03LA OptiMOS®2 Power-Transistor Product Summary Features V 25 V DS • Ideal for high-frequency dc/dc converters R (SMD version) 8.6 mΩ DS(on),max • Qualified according to JEDEC1) for target application I 50 A D • N-channel, logic level • Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) • Superior thermal resistance • 175 °C

5.1. ips090n03l.pdf Size:1344K _infineon