IPS09N03LA Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPS09N03LA  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 63 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 474 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0088 Ohm

Encapsulados: TO251

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de IPS09N03LA MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

IPS09N03LA datasheet

 ..1. Size:413K  infineon
 ipd09n03la ipf09n03la ips09n03la ipu09n03la.pdf pdf_icon

IPS09N03LA

IPD09N03LA IPF09N03LA IPS09N03LA IPU09N03LA OptiMOS 2 Power-Transistor Product Summary Features V 25 V DS Ideal for high-frequency dc/dc converters R (SMD version) 8.6 m DS(on),max Qualified according to JEDEC1) for target application I 50 A D N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Superior thermal resistance 175 C

 9.1. Size:538K  1
 ipd090n03lg ipf090n03lg ips090n03lg ipu090n03lg.pdf pdf_icon

IPS09N03LA

Type IPD090N03L G IPF090N03L G IPS090N03L G IPU090N03L G OptiMOS 3 Power-Transistor Product Summary Features V 30 V DS Fast switching MOSFET for SMPS R 9 m DS(on),max Optimized technology for DC/DC converters I 40 A D Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low

 9.2. Size:1344K  infineon
 ips090n03l.pdf pdf_icon

IPS09N03LA

pe % # ! % # ! %' # ! %) # ! % (>.;?6?@ %>E Features D S !4EF EI

Otros transistores... R8010ANX, R9521, R9522, 2SJ455, 2SK0123, BSC0906NS, IPD09N03LA, IPF09N03LA, 50N06, IPU09N03LA, NTD4809NH, NTD4809NHG, SI2300A, SPP07N60C2, SPB07N60C2, SPA07N60C2, RDX050N50FU6