IPS09N03LA - аналоги и даташиты транзистора

 

IPS09N03LA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IPS09N03LA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 474 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0088 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для IPS09N03LA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPS09N03LA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:413K  infineon
 ipd09n03la ipf09n03la ips09n03la ipu09n03la.pdf pdf_icon

IPS09N03LA

IPD09N03LA IPF09N03LAIPS09N03LA IPU09N03LAOptiMOS2 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 25 VDS Ideal for high-frequency dc/dc convertersR (SMD version) 8.6mDS(on),max Qualified according to JEDEC1) for target applicationI 50 AD N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Superior thermal resistance 175 C

 9.1. Size:538K  1
 ipd090n03lg ipf090n03lg ips090n03lg ipu090n03lg.pdf pdf_icon

IPS09N03LA

Type IPD090N03L G IPF090N03L GIPS090N03L G IPU090N03L GOptiMOS3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 30 VDS Fast switching MOSFET for SMPSR 9mDS(on),max Optimized technology for DC/DC convertersI 40 AD Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low

 9.2. Size:1344K  infineon
 ips090n03l.pdf pdf_icon

IPS09N03LA

pe % # ! % # ! %' # ! %) # ! % (>.;?6?@%>EFeaturesD S !4EF EI

Другие MOSFET... R8010ANX , R9521 , R9522 , 2SJ455 , 2SK0123 , BSC0906NS , IPD09N03LA , IPF09N03LA , 50N06 , IPU09N03LA , NTD4809NH , NTD4809NHG , SI2300A , SPP07N60C2 , SPB07N60C2 , SPA07N60C2 , RDX050N50FU6 .

History: FC694308 | NTMFS5C468NLT1G | SWF13N65K2

 

 
Back to Top

 


 
.