RFD4N06L Todos los transistores

 

 

RFD4N06L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RFD4N06L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 130 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251AA
 

 Búsqueda de reemplazo de RFD4N06L MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

 

RFD4N06L Datasheet (PDF)

 0.1. Size:43K  intersil
 rfd4n06l-sm.pdf pdf_icon

RFD4N06L

RFD4N06L, RFD4N06LSMData Sheet June 1999 File Number 2837.14A, 60V, 0.600 Ohm, Logic Level, FeaturesN-Channel Power MOSFETs 4A, 60VThe RFD4N06L, RFD4N06LSM are N-Channel enhancement rDS(ON) = 0.600mode silicon gate power field effect transistors specifically Design Optimized for 5 Volt Gate Drivedesigned for use with logic level (5 volt) driving sources inapplica

Otros transistores... RFD16N06LE , RFD16N06LESM , RFD3055 , RFD3055LE , RFD3055LESM , RFD3055SM , RFD3N08L , RFD3N08LSM , IRF1404 , RFD4N06LSM , RFD7N10LE , RFD7N10LESM , RFD8P05 , RFD8P05SM , RFD8P06E , RFD8P06ESM , RFD8P06LE .

History: NCE70N380 | KNP2910A | 5N50G-T2Q-T | SSF6010A | SSM9960GH | NCE82H160D | NCE85H21TC

 

 
Back to Top

 


 
.