Справочник MOSFET. RFD4N06L

 

RFD4N06L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: RFD4N06L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 130 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
   Тип корпуса: TO251AA

 Аналог (замена) для RFD4N06L

 

 

RFD4N06L Datasheet (PDF)

 0.1. Size:43K  intersil
 rfd4n06l-sm.pdf

RFD4N06L RFD4N06L

RFD4N06L, RFD4N06LSMData Sheet June 1999 File Number 2837.14A, 60V, 0.600 Ohm, Logic Level, FeaturesN-Channel Power MOSFETs 4A, 60VThe RFD4N06L, RFD4N06LSM are N-Channel enhancement rDS(ON) = 0.600mode silicon gate power field effect transistors specifically Design Optimized for 5 Volt Gate Drivedesigned for use with logic level (5 volt) driving sources inapplica

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top