RFD4N06L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RFD4N06L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 130 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm

Тип корпуса: TO251AA

Аналог (замена) для RFD4N06L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RFD4N06L даташит

 0.1. Size:43K  intersil
 rfd4n06l-sm.pdf pdf_icon

RFD4N06L

RFD4N06L, RFD4N06LSM Data Sheet June 1999 File Number 2837.1 4A, 60V, 0.600 Ohm, Logic Level, Features N-Channel Power MOSFETs 4A, 60V The RFD4N06L, RFD4N06LSM are N-Channel enhancement rDS(ON) = 0.600 mode silicon gate power field effect transistors specifically Design Optimized for 5 Volt Gate Drive designed for use with logic level (5 volt) driving sources in applica

Другие IGBT... RFD16N06LE, RFD16N06LESM, RFD3055, RFD3055LE, RFD3055LESM, RFD3055SM, RFD3N08L, RFD3N08LSM, IRF1404, RFD4N06LSM, RFD7N10LE, RFD7N10LESM, RFD8P05, RFD8P05SM, RFD8P06E, RFD8P06ESM, RFD8P06LE