RDX050N50FU6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RDX050N50FU6
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 35 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 500 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 5 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 16 nC
Tiempo de subida (tr): 20 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 100 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220FM
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RDX050N50FU6 Datasheet (PDF)
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RDX050N50Transistors10V Drive Nch MOS FET RDX050N50Structure External dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOS FETTO-220FM10.0 3.2 4.52.8Features1) Lowon-resistance.1.22) Low input capacitance. 1.33) Excellent resistance to damage from static electricity.0.8(1)Gate2.54 2.54 0.75 2.6(2)Drain (1) (2) (3)Applications(3)SourceSwitchingPackagingspecificat
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