Справочник MOSFET. RDX050N50FU6

 

RDX050N50FU6 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: RDX050N50FU6
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 16 nC
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-220FM

 Аналог (замена) для RDX050N50FU6

 

 

RDX050N50FU6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:48K  rohm
 rdx050n50fu6.pdf

RDX050N50FU6 RDX050N50FU6

RDX050N50Transistors10V Drive Nch MOS FET RDX050N50Structure External dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOS FETTO-220FM10.0 3.2 4.52.8Features1) Lowon-resistance.1.22) Low input capacitance. 1.33) Excellent resistance to damage from static electricity.0.8(1)Gate2.54 2.54 0.75 2.6(2)Drain (1) (2) (3)Applications(3)SourceSwitchingPackagingspecificat

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top