Справочник MOSFET. RDX050N50FU6

 

RDX050N50FU6 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RDX050N50FU6
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-220FM
 

 Аналог (замена) для RDX050N50FU6

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RDX050N50FU6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:48K  rohm
 rdx050n50fu6.pdf pdf_icon

RDX050N50FU6

RDX050N50Transistors10V Drive Nch MOS FET RDX050N50Structure External dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOS FETTO-220FM10.0 3.2 4.52.8Features1) Lowon-resistance.1.22) Low input capacitance. 1.33) Excellent resistance to damage from static electricity.0.8(1)Gate2.54 2.54 0.75 2.6(2)Drain (1) (2) (3)Applications(3)SourceSwitchingPackagingspecificat

Другие MOSFET... IPS09N03LA , IPU09N03LA , NTD4809NH , NTD4809NHG , SI2300A , SPP07N60C2 , SPB07N60C2 , SPA07N60C2 , 10N60 , RDX060N60FU6 , RDX080N50FU6 , RDX100N60FU6 , RDX120N50FU6 , RE1C001UN , RE1C001ZP , RE1C002UN , RE1C002ZP .

 

 
Back to Top

 


 
.