RDX050N50FU6 - описание и поиск аналогов

 

RDX050N50FU6. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RDX050N50FU6

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: TO-220FM

Аналог (замена) для RDX050N50FU6

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RDX050N50FU6 даташит

 ..1. Size:48K  rohm
 rdx050n50fu6.pdf pdf_icon

RDX050N50FU6

RDX050N50 Transistors 10V Drive Nch MOS FET RDX050N50 Structure External dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOS FET TO-220FM 10.0 3.2 4.5 2.8 Features 1) Lowon-resistance. 1.2 2) Low input capacitance. 1.3 3) Excellent resistance to damage from static electricity. 0.8 (1)Gate 2.54 2.54 0.75 2.6 (2)Drain (1) (2) (3) Applications (3)Source Switching Packagingspecificat

Другие MOSFET... IPS09N03LA , IPU09N03LA , NTD4809NH , NTD4809NHG , SI2300A , SPP07N60C2 , SPB07N60C2 , SPA07N60C2 , IRFP260N , RDX060N60FU6 , RDX080N50FU6 , RDX100N60FU6 , RDX120N50FU6 , RE1C001UN , RE1C001ZP , RE1C002UN , RE1C002ZP .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.