RDX080N50FU6 Todos los transistores

 

RDX080N50FU6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RDX080N50FU6
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 125 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220FM
     - Selección de transistores por parámetros

 

RDX080N50FU6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:60K  rohm
 rdx080n50fu6.pdf pdf_icon

RDX080N50FU6

RDX080N50 Transistors 10V Drive Nch MOS FET RDX080N50 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOS FET TO-220FM10.0 3.2 4.52.8 Features 1) Low on-resistance. 1.22) Low input capacitance. 1.33) Excellent resistance to damage from static electricity. 0.8(1)Gate2.54 2.54 0.75 2.6(2)Drain (1) (2) (3) Applications(3)SourceSwitching

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History: NCE65N260F | VBZE50P03 | IPB60R190C6 | FCH20N60

 

 
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