Справочник MOSFET. RDX080N50FU6

 

RDX080N50FU6 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: RDX080N50FU6
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 28 nC
   trⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
   Тип корпуса: TO-220FM

 Аналог (замена) для RDX080N50FU6

 

 

RDX080N50FU6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:60K  rohm
 rdx080n50fu6.pdf

RDX080N50FU6 RDX080N50FU6

RDX080N50 Transistors 10V Drive Nch MOS FET RDX080N50 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOS FET TO-220FM10.0 3.2 4.52.8 Features 1) Low on-resistance. 1.22) Low input capacitance. 1.33) Excellent resistance to damage from static electricity. 0.8(1)Gate2.54 2.54 0.75 2.6(2)Drain (1) (2) (3) Applications(3)SourceSwitching

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top