Справочник MOSFET. RDX080N50FU6

 

RDX080N50FU6 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RDX080N50FU6
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
   Тип корпуса: TO-220FM
 

 Аналог (замена) для RDX080N50FU6

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RDX080N50FU6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:60K  rohm
 rdx080n50fu6.pdf pdf_icon

RDX080N50FU6

RDX080N50 Transistors 10V Drive Nch MOS FET RDX080N50 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOS FET TO-220FM10.0 3.2 4.52.8 Features 1) Low on-resistance. 1.22) Low input capacitance. 1.33) Excellent resistance to damage from static electricity. 0.8(1)Gate2.54 2.54 0.75 2.6(2)Drain (1) (2) (3) Applications(3)SourceSwitching

Другие MOSFET... NTD4809NH , NTD4809NHG , SI2300A , SPP07N60C2 , SPB07N60C2 , SPA07N60C2 , RDX050N50FU6 , RDX060N60FU6 , AON6414A , RDX100N60FU6 , RDX120N50FU6 , RE1C001UN , RE1C001ZP , RE1C002UN , RE1C002ZP , RE1E002SP , RE1J002YN .

History: IRFHM792PBF | SRT08N100LD

 

 
Back to Top

 


 
.