RDX100N60FU6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: RDX100N60FU6
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 45 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 10 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 45 nC
   Tiempo de subida (tr): 23 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 175 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.65 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220FM

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RDX100N60FU6 Datasheet (PDF)

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rdx100n60fu6.pdf

RDX100N60 Transistors 10V Drive Nch MOS FET RDX100N60 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOS FET TO-220FM10.0 3.2 4.52.8 Features 1) Low on-resistance. 1.21.32) Low input capacitance. 3) Excellent resistance to damage from static electricity. 0.8(1)Gate 2.54 2.54 0.75 2.6(2)Drain (1) (2) (3) Applications(3)SourceSwitching

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Liste

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