RDX100N60FU6 - описание и поиск аналогов

 

RDX100N60FU6. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RDX100N60FU6

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm

Тип корпуса: TO-220FM

Аналог (замена) для RDX100N60FU6

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RDX100N60FU6 даташит

 ..1. Size:59K  rohm
 rdx100n60fu6.pdf pdf_icon

RDX100N60FU6

RDX100N60 Transistors 10V Drive Nch MOS FET RDX100N60 Structure External dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOS FET TO-220FM 10.0 3.2 4.5 2.8 Features 1) Low on-resistance. 1.2 1.3 2) Low input capacitance. 3) Excellent resistance to damage from static electricity. 0.8 (1)Gate 2.54 2.54 0.75 2.6 (2)Drain (1) (2) (3) Applications (3)Source Switching

Другие MOSFET... NTD4809NHG , SI2300A , SPP07N60C2 , SPB07N60C2 , SPA07N60C2 , RDX050N50FU6 , RDX060N60FU6 , RDX080N50FU6 , IRF3710 , RDX120N50FU6 , RE1C001UN , RE1C001ZP , RE1C002UN , RE1C002ZP , RE1E002SP , RE1J002YN , RE1L002SN .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.