RDX120N50FU6 Todos los transistores

 

RDX120N50FU6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RDX120N50FU6
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220FM
 

 Búsqueda de reemplazo de RDX120N50FU6 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

RDX120N50FU6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:82K  rohm
 rdx120n50fu6.pdf pdf_icon

RDX120N50FU6

RDX120N50 Transistors 10V Drive Nch MOS FET RDX120N50 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOS FET TO-220FM 10.0 3.2 4.52.8 Features 1) Low on-resistance. 2) Low input capacitance. 1.21.33) Excellent resistance to damage from static electricity. 0.8 (1)Gate2.54 2.54 0.75 2.6(2)Drain (1) (2) (3) Applications(3)SourceSwitching

Otros transistores... SI2300A , SPP07N60C2 , SPB07N60C2 , SPA07N60C2 , RDX050N50FU6 , RDX060N60FU6 , RDX080N50FU6 , RDX100N60FU6 , IRFB4227 , RE1C001UN , RE1C001ZP , RE1C002UN , RE1C002ZP , RE1E002SP , RE1J002YN , RE1L002SN , RF1S25N06 .

 

 
Back to Top

 


 
.