Справочник MOSFET. RDX120N50FU6

 

RDX120N50FU6 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RDX120N50FU6
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-220FM
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RDX120N50FU6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:82K  rohm
 rdx120n50fu6.pdf pdf_icon

RDX120N50FU6

RDX120N50 Transistors 10V Drive Nch MOS FET RDX120N50 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOS FET TO-220FM 10.0 3.2 4.52.8 Features 1) Low on-resistance. 2) Low input capacitance. 1.21.33) Excellent resistance to damage from static electricity. 0.8 (1)Gate2.54 2.54 0.75 2.6(2)Drain (1) (2) (3) Applications(3)SourceSwitching

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , IRFZ48N , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

History: SI9945BDY | NVTFS002N04C

 

 
Back to Top

 


 
.