RDX120N50FU6 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RDX120N50FU6  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm

Тип корпуса: TO-220FM

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для RDX120N50FU6

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RDX120N50FU6 даташит

 ..1. Size:82K  rohm
 rdx120n50fu6.pdf pdf_icon

RDX120N50FU6

RDX120N50 Transistors 10V Drive Nch MOS FET RDX120N50 Structure External dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOS FET TO-220FM 10.0 3.2 4.5 2.8 Features 1) Low on-resistance. 2) Low input capacitance. 1.2 1.3 3) Excellent resistance to damage from static electricity. 0.8 (1)Gate 2.54 2.54 0.75 2.6 (2)Drain (1) (2) (3) Applications (3)Source Switching

Другие IGBT... SI2300A, SPP07N60C2, SPB07N60C2, SPA07N60C2, RDX050N50FU6, RDX060N60FU6, RDX080N50FU6, RDX100N60FU6, 10N60, RE1C001UN, RE1C001ZP, RE1C002UN, RE1C002ZP, RE1E002SP, RE1J002YN, RE1L002SN, RF1S25N06