RDX120N50FU6 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: RDX120N50FU6
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm
Тип корпуса: TO-220FM
RDX120N50FU6 Datasheet (PDF)
rdx120n50fu6.pdf

RDX120N50 Transistors 10V Drive Nch MOS FET RDX120N50 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOS FET TO-220FM 10.0 3.2 4.52.8 Features 1) Low on-resistance. 2) Low input capacitance. 1.21.33) Excellent resistance to damage from static electricity. 0.8 (1)Gate2.54 2.54 0.75 2.6(2)Drain (1) (2) (3) Applications(3)SourceSwitching
Другие MOSFET... SI2300A , SPP07N60C2 , SPB07N60C2 , SPA07N60C2 , RDX050N50FU6 , RDX060N60FU6 , RDX080N50FU6 , RDX100N60FU6 , IRFB4227 , RE1C001UN , RE1C001ZP , RE1C002UN , RE1C002ZP , RE1E002SP , RE1J002YN , RE1L002SN , RF1S25N06 .
History: IRF3205STRLPBF | TK14A45DA
History: IRF3205STRLPBF | TK14A45DA



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0611PP | JMSL0611PGD | JMSL0611PG | JMSL0610AGDQ | JMSL0610AGD | JMSL060SPGQ | JMSL0609PPD | JMSL0609AUQ | JMSL0609AU | JMSL0609APD | JMSL0609AP | JMSL0609AKQ | JMSL0609AK | JMSL0609AGWQ | JMSL0609AGQ | JMSL0609AG
Popular searches
2sb435 | 2sc1096 | 2sc2058 | a1693 datasheet | bdw94c equivalent | c2389 | c495 transistor | c5242 reemplazo