RFD4N06LSM Todos los transistores

 

RFD4N06LSM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RFD4N06LSM
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 130 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252AA
 

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RFD4N06LSM Datasheet (PDF)

 6.1. Size:43K  intersil
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RFD4N06LSM

RFD4N06L, RFD4N06LSMData Sheet June 1999 File Number 2837.14A, 60V, 0.600 Ohm, Logic Level, FeaturesN-Channel Power MOSFETs 4A, 60VThe RFD4N06L, RFD4N06LSM are N-Channel enhancement rDS(ON) = 0.600mode silicon gate power field effect transistors specifically Design Optimized for 5 Volt Gate Drivedesigned for use with logic level (5 volt) driving sources inapplica

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History: RU30120R | BUK456-60A | STW50N65DM2AG | IRLR120PBF | SJMN850R80ZD | FHP540C | IRLR024PBF

 

 
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