RFD4N06LSM MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RFD4N06LSM

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 130 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm

Encapsulados: TO252AA

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RFD4N06LSM datasheet

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RFD4N06LSM

RFD4N06L, RFD4N06LSM Data Sheet June 1999 File Number 2837.1 4A, 60V, 0.600 Ohm, Logic Level, Features N-Channel Power MOSFETs 4A, 60V The RFD4N06L, RFD4N06LSM are N-Channel enhancement rDS(ON) = 0.600 mode silicon gate power field effect transistors specifically Design Optimized for 5 Volt Gate Drive designed for use with logic level (5 volt) driving sources in applica

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