Справочник MOSFET. RFD4N06LSM

 

RFD4N06LSM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RFD4N06LSM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 130 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
   Тип корпуса: TO252AA
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RFD4N06LSM Datasheet (PDF)

 6.1. Size:43K  intersil
 rfd4n06l-sm.pdf pdf_icon

RFD4N06LSM

RFD4N06L, RFD4N06LSMData Sheet June 1999 File Number 2837.14A, 60V, 0.600 Ohm, Logic Level, FeaturesN-Channel Power MOSFETs 4A, 60VThe RFD4N06L, RFD4N06LSM are N-Channel enhancement rDS(ON) = 0.600mode silicon gate power field effect transistors specifically Design Optimized for 5 Volt Gate Drivedesigned for use with logic level (5 volt) driving sources inapplica

Другие MOSFET... RFD16N06LESM , RFD3055 , RFD3055LE , RFD3055LESM , RFD3055SM , RFD3N08L , RFD3N08LSM , RFD4N06L , IRF640N , RFD7N10LE , RFD7N10LESM , RFD8P05 , RFD8P05SM , RFD8P06E , RFD8P06ESM , RFD8P06LE , RFD8P06LESM .

History: BL7N80-P | MC11N005 | AUIRFR2607Z | JCS5N50CT | NCEP026N10F | NVMFS5C628N | SI7913DN

 

 
Back to Top

 


 
.