RE1C002ZP Todos los transistores

 

RE1C002ZP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RE1C002ZP
   Código: YK
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 10 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: EMT3F
 

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RE1C002ZP Datasheet (PDF)

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RE1C002ZP

RE1C002ZP Pch -20V -200mA Small Signal MOSFET DatasheetlOutlineVDSS-20V(3) EMT3FRDS(on) (Max.)1.2W(1) ID-200mA(2) PD150mWlFeatures lInner circuit1) Low voltage drive(1.2V) makes this(1) Gate device ideal for partable equipment.(2) Source 2) Drive circuits can be simple.(3) Drain 3) Built-in G-S Protection Diode.*1 ESD PROTECTION DIODE *2 BODY DIO

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RE1C002ZP

RE1C002UN Nch 20V 200mA Small Signal MOSFET DatasheetlOutlineVDSS20VEMT3F (3) RDS(on) (Max.)1.2W(1) ID200mA(2) PD150mWlFeatures lInner circuit1) Low voltage drive(1.2V) makes this(1) Gate device ideal for partable equipment.(2) Source 2) Drive circuits can be simple.(3) Drain 3) Built-in G-S Protection Diode.*1 BODY DIODE *2 ESD PROTECTION DIODE

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RE1C002ZP

RE1C001UN Nch 20V 100mA Small Signal MOSFET Data SheetlOutlineVDSS20VEMT3F(3) RDS(on) (Max.)3.5WID (1) 100mA(2) PD150mWlFeatures lInner circuit1) Low voltage drive(1.2V) makes this(1) Gate device ideal for partable equipment.(2) Source 2) Drive circuits can be simple.(3) Drain 3) Built-in G-S Protection Diode.*1 BODY DIODE *2 ESD PROTECTION DIODE

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RE1C002ZP

RE1C001ZP Pch -20V -100mA Small Signal MOSFET DatasheetlOutlineVDSS-20V(3) EMT3FRDS(on) (Max.)3.8W(1) ID-100mA(2) PD150mWlFeatures lInner circuit1) Low voltage drive(1.2V) makes this(1) Gate device ideal for partable equipment.(2) Source 2) Drive circuits can be simple.(3) Drain 3) Built-in G-S Protection Diode.*1 BODY DIODE *2 ESD PROTECTION DIO

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History: SSFD3004 | IPLU300N04S4-R8 | SRT04N016L

 

 
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