RE1E002SP Todos los transistores

 

RE1E002SP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RE1E002SP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.25 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 10 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm

Encapsulados: EMT3F

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RE1E002SP datasheet

 ..1. Size:411K  rohm
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RE1E002SP

RE1E002SP Pch -30V -250mA Small Signal MOSFET Datasheet lOutline VDSS -30V EMT3F (3) RDS(on) (Max.) 1.4W (1) ID -250mA (2) PD 150mW lFeatures lInner circuit 1) Drive circuits can be simple. (1) Gate 2) Built-in G-S Protection Diode. (2) Source (3) Drain *1 BODY DIODE *2 ESD PROTECTION DIODE lPackaging specifications Packaging Taping Reel size (mm) 180 lApplica

Otros transistores... RDX060N60FU6 , RDX080N50FU6 , RDX100N60FU6 , RDX120N50FU6 , RE1C001UN , RE1C001ZP , RE1C002UN , RE1C002ZP , 8205A , RE1J002YN , RE1L002SN , RF1S25N06 , RF1S30N06LE , RF1S30P06 , RF1S40N10 , RF1S540 , RF1S60P03 .

History: R6015ENJ

 

 

 

 

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