RE1E002SP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: RE1E002SP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 10 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: EMT3F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET RE1E002SP

RE1E002SP Datasheet (PDF)

..1. Size:411K rohm
re1e002sp.pdf

RE1E002SP Pch -30V -250mA Small Signal MOSFET DatasheetlOutlineVDSS-30VEMT3F(3) RDS(on) (Max.)1.4W(1) ID-250mA(2) PD150mWlFeatures lInner circuit1) Drive circuits can be simple.(1) Gate 2) Built-in G-S Protection Diode.(2) Source (3) Drain *1 BODY DIODE *2 ESD PROTECTION DIODE lPackaging specificationsPackaging TapingReel size (mm) 180lApplica

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: