RE1E002SP - описание и поиск аналогов

 

RE1E002SP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RE1E002SP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: EMT3F

Аналог (замена) для RE1E002SP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RE1E002SP даташит

 ..1. Size:411K  rohm
 re1e002sp.pdf pdf_icon

RE1E002SP

RE1E002SP Pch -30V -250mA Small Signal MOSFET Datasheet lOutline VDSS -30V EMT3F (3) RDS(on) (Max.) 1.4W (1) ID -250mA (2) PD 150mW lFeatures lInner circuit 1) Drive circuits can be simple. (1) Gate 2) Built-in G-S Protection Diode. (2) Source (3) Drain *1 BODY DIODE *2 ESD PROTECTION DIODE lPackaging specifications Packaging Taping Reel size (mm) 180 lApplica

Другие MOSFET... RDX060N60FU6 , RDX080N50FU6 , RDX100N60FU6 , RDX120N50FU6 , RE1C001UN , RE1C001ZP , RE1C002UN , RE1C002ZP , 8205A , RE1J002YN , RE1L002SN , RF1S25N06 , RF1S30N06LE , RF1S30P06 , RF1S40N10 , RF1S540 , RF1S60P03 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.