Справочник MOSFET. RE1E002SP

 

RE1E002SP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RE1E002SP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.25 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: EMT3F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RE1E002SP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:411K  rohm
 re1e002sp.pdf pdf_icon

RE1E002SP

RE1E002SP Pch -30V -250mA Small Signal MOSFET DatasheetlOutlineVDSS-30VEMT3F(3) RDS(on) (Max.)1.4W(1) ID-250mA(2) PD150mWlFeatures lInner circuit1) Drive circuits can be simple.(1) Gate 2) Built-in G-S Protection Diode.(2) Source (3) Drain *1 BODY DIODE *2 ESD PROTECTION DIODE lPackaging specificationsPackaging TapingReel size (mm) 180lApplica

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , IRFZ48N , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

History: DMN3052LSS | FHF630A

 

 
Back to Top

 


 
.