RE1E002SP - аналоги и даташиты транзистора

 

RE1E002SP - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: RE1E002SP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: EMT3F
 

 Аналог (замена) для RE1E002SP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RE1E002SP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:411K  rohm
 re1e002sp.pdf pdf_icon

RE1E002SP

RE1E002SP Pch -30V -250mA Small Signal MOSFET DatasheetlOutlineVDSS-30VEMT3F(3) RDS(on) (Max.)1.4W(1) ID-250mA(2) PD150mWlFeatures lInner circuit1) Drive circuits can be simple.(1) Gate 2) Built-in G-S Protection Diode.(2) Source (3) Drain *1 BODY DIODE *2 ESD PROTECTION DIODE lPackaging specificationsPackaging TapingReel size (mm) 180lApplica

Другие MOSFET... RDX060N60FU6 , RDX080N50FU6 , RDX100N60FU6 , RDX120N50FU6 , RE1C001UN , RE1C001ZP , RE1C002UN , RE1C002ZP , IRF630 , RE1J002YN , RE1L002SN , RF1S25N06 , RF1S30N06LE , RF1S30P06 , RF1S40N10 , RF1S540 , RF1S60P03 .

 

 
Back to Top

 


 
.