RE1L002SN Todos los transistores

 

RE1L002SN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RE1L002SN

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.25 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 4.5 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.4 Ohm

Encapsulados: EMT3F

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RE1L002SN datasheet

 ..1. Size:638K  rohm
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RE1L002SN

RE1L002SN Nch 60V 250mA Small Signal MOSFET Datasheet lOutline VDSS 60V (3) EMT3F RDS(on) (Max.) 2.4W (1) ID 250mA (2) PD 150mW lFeatures lInner circuit 1) Low voltage drive(2.5V) makes this (1) Gate device ideal for partable equipment. (2) Source 2) Drive circuits can be simple. (3) Drain 3) Built-in G-S Protection Diode. *1 ESD PROTECTION DIODE *2 BODY DIODE

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