RE1L002SN Todos los transistores

 

RE1L002SN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RE1L002SN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 4.5 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: EMT3F
 

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RE1L002SN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:638K  rohm
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RE1L002SN

RE1L002SN Nch 60V 250mA Small Signal MOSFET DatasheetlOutlineVDSS60V(3) EMT3FRDS(on) (Max.)2.4W(1) ID250mA(2) PD150mWlFeatures lInner circuit1) Low voltage drive(2.5V) makes this(1) Gate device ideal for partable equipment.(2) Source 2) Drive circuits can be simple.(3) Drain 3) Built-in G-S Protection Diode.*1 ESD PROTECTION DIODE *2 BODY DIODE

Otros transistores... RDX100N60FU6 , RDX120N50FU6 , RE1C001UN , RE1C001ZP , RE1C002UN , RE1C002ZP , RE1E002SP , RE1J002YN , AON7408 , RF1S25N06 , RF1S30N06LE , RF1S30P06 , RF1S40N10 , RF1S540 , RF1S60P03 , RF1S640 , RF1S70N06 .

History: NILMS4501NR2 | JFPC13N50C | HSCE2530 | STH80N10LF7-2AG | NCE30NP4030G | SWD9N50D | IPP020N08N5

 

 
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